STD13N60M2

Active - MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Описание:
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
STD13N60M2 Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Сток к источнику напряжения (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25℃
11A (Tc)
Напряжение привода (Макс Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250μA
Плата за ворота (Qg) (Макс) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds
580 pF @ 100 V
Рассеиваемая мощность (Макс)
110W (Tc)
Рабочая температура
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Корпус устройств поставщика
DPAK
Корпус
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
STD13N60M2 Описание
STMicroelectronics STD13N60M2 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for various applications, including power management and switching. Below is a detailed introduction to its specifications and parameters in Russian.
### Введение в STD13N60M2
STD13N60M2 — это мощный N-канальный MOSFET, который предназначен для работы в условиях высокой напряженности. Он широко используется в источниках питания, инверторах и других приложениях, требующих эффективного управления мощностью.
### Основные характеристики
1. Напряжение стока-истока (V_DS): 600 В
- Это максимальное напряжение, которое может быть приложено между стоком и истоком без разрушения устройства.
2. Ток стока (I_D): 13 А
- Максимальный ток, который может протекать через MOSFET при заданных условиях.
3. Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)): 0.18 Ом (при V_GS = 10 В)
- Это сопротивление, когда MOSFET находится в проводящем состоянии. Низкое значение R_DS(on) позволяет уменьшить потери мощности.
4. Максимальная температура (T_j): 150 °C
- Это максимальная рабочая температура, при которой MOSFET может функционировать без риска повреждения.
5. Заряд затвора (Q_g): 30 нКл (при V_GS = 10 В)
- Это количество заряда, необходимое для включения MOSFET. Низкое значение Q_g позволяет достичь высокой скорости переключения.
6. Время включения (t_on): 50 нс
- Время, необходимое для перехода MOSFET из выключенного состояния в проводящее.
7. Время выключения (t_off): 80 нс
- Время, необходимое для перехода MOSFET из проводящего состояния в выключенное.
### Применения
STD13N60M2 может использоваться в различных приложениях, включая:
- Силовые источники питания: Используется в схемах преобразования и управления мощностью.
- Инверторы: Применяется в солнечных инверторах и других системах преобразования энергии.
- Электродвигатели: Используется в драйверах для управления электродвигателями.
### Заключение
MOSFET STD13N60M2 от STMicroelectronics представляет собой надежное и эффективное решение для высоковольтных приложений. Его характеристики, такие как высокое напряжение, низкое сопротивление в открытом состоянии и быстрое время переключения, делают его идеальным выбором для современных систем управления мощностью.
STD13N60M2 Инвентарь: 22400
5.0 / 5.0

2023-03-25 01:09
Хорошо выглядит. Показания тестера немного различаются. Продавец Спасибо.

2023-03-25 01:09
Заказ не дошел до меня!

2023-03-24 01:12
Хорошо работают транзисторы, отремонтирован блок питания компьютера. Рекомендовать!

2023-03-23 10:13
Все хорошо

2023-03-26 01:15
Доставка очень быстрая, в упаковке. Упаковано хорошо. Каждый тип в отдельной сумке. Порядок совпадает. Доволен заказом. Магазин и продавец рекомендуют.