STD3PK50Z

Obsolete - MOSFET P-CH 500V 2.8A DPAK
Описание:
MOSFET P-CH 500V 2.8A DPAK
STD3PK50Z Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Сток к источнику напряжения (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25℃
2.8A (Tc)
Напряжение привода (Макс Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
4Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 100μA
Плата за ворота (Qg) (Макс) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds
620 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (Макс)
70W (Tc)
Рабочая температура
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Корпус устройств поставщика
DPAK
Корпус
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
STD3PK50Z Описание
### Введение в STD3PK50Z
STD3PK50Z — это MOSFET транзистор с N-каналом, производимый компанией STMicroelectronics. Этот транзистор предназначен для использования в различных приложениях мощности, таких как источники питания, схемы преобразования мощности и системы управления двигателями.
### Основные Характеристики
- Тип: MOSFET с N-каналом
- Корпус: TO-220
- Технология: MOSFET с N-каналом типа DPAK
### Технические Спецификации
1. Напряжение между истоком и стоком (V_DS):
- Максимум: 500 В
- Максимальное напряжение, которое MOSFET может выдерживать между истоком и стоком без повреждений.
2. Ток стока (I_D):
- Максимум: 3 А (при 25°C)
- Максимальный ток, который MOSFET может проводить в непрерывном режиме.
3. Сопротивление сток-исток в проводящем состоянии (R_DS(on)):
- Максимум: 3 Ом (при V_GS = 10 В)
- Сопротивление между стоком и истоком, когда транзистор находится в проводящем состоянии, что влияет на потери проводимости и эффективность схемы.
4. Напряжение управляющей цепи (V_GS):
- Максимум: ±20 В
- Максимальное напряжение между управляющим электродом (затвором) и истоком.
5. Тепловыделение (P_D):
- Максимум: 40 Вт (при 25°C)
- Максимальная мощность, которую транзистор может рассеивать без перегрева.
6. Рабочая Температура:
- Диапазон: -55°C до +150°C
- Температурный диапазон, в котором MOSFET может надежно работать.
7. Коэффициент транскондуктивности (g_fs):
- Около 2 S (если применимо)
- Измерение способности MOSFET усиливать сигнал.
8. Ёмкость затвора (C_iss):
- Около 1500 пФ (при V_GS = 0 В, V_DS = 25 В)
- Ёмкость между затвором и стоком, что влияет на скорость переключения.
### Типичные Применения
STD3PK50Z используется в различных приложениях, таких как:
- Источники питания: В схемах преобразования постоянного напряжения (DC-DC) для регулировки напряжения и тока.
- Управление двигателями: Для включения и выключения двигателей в системах управления.
- Защитные схемы: В устройствах защиты от перегрузок или коротких замыканий.
### Преимущества
- Высокое Напряжение: Способен выдерживать напряжения до 500 В.
- Низкое R_DS(on): Снижает потери проводимости и улучшает эффективность.
- Широкий Температурный Диапазон: Может работать в различных средах.
### Заключение
STD3PK50Z от STMicroelectronics представляет собой надежный выбор для приложений, требующих высоких характеристик и способности справляться с большими токами и напряжениями. Его характеристики, такие как низкое сопротивление в проводящем состоянии и широкий диапазон рабочей температуры, делают его универсальным компонентом для схем мощностных приложений.
Для получения более подробной информации или последних данных о продукте рекомендуется обратиться к официальному техническому описанию, предоставленному STMicroelectronics.