STGAP2SICDTR

Active - GALVANICALLY ISOLATED 4 A DUAL G
Описание:
GALVANICALLY ISOLATED 4 A DUAL G
STGAP2SICDTR Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
Capacitive Coupling
Напряжение - Изоляция
6000Vrms
Синфазный переходный иммунитет (мин)
100V/ns
Задержка распространения tpLH / tpHL (макс.)
90ns, 90ns
Широтно-импульсное искажение (макс.)
-
Время подъема / спада (тип.)
30ns, 30ns
Ток - выходной высокий, низкий
4A, 4A
Напряжение - прямое (Vf) (тип.)
-
Ток - постоянный ток вперед (если) (макс.)
-
Напряжение - выходной источник питания
3.1V ~ 5.5V
Рабочая температура
-40 ℃ ~ 125 ℃
Тип монтажа
Surface Mount
Корпус
36-BSOP (0.295", 7.50mm Width), 32 Leads
Корпус устройств поставщика
36-SO
Разрешительное агентство
UL, VDE
STGAP2SICDTR Инвентарь: 42500
5.0 / 5.0

2023-02-14 08:55
Ц? транзистори працюють, замовляв sche irf740 виявилися?дробкою.

2022-09-21 23:26
Они определены, св.

2023-02-15 00:19
Исходный текст. работают нормально

2023-02-15 00:19
Все быстро и хорошо, проверено минимальное ВВ от 1 до 4

2023-02-15 00:20
Нормальный. Мы проверим это.