STS4DNF60L
Active - MOSFET 2N-CH 60V 4A 8-SOIC
Описание:
MOSFET 2N-CH 60V 4A 8-SOIC
STS4DNF60L Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Тип FET
2 N-Channel (Dual)
Особенность FET
Logic Level Gate
Напряжение стока до источника (VDSS)
60V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25℃
4A
Rds On (макс.) @ Id, Vgs
55mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id
2.5V @ 250μA
Заряд ворот (Qg) (макс.) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1030pF @ 25V
Рабочая температура
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Корпус
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус устройств поставщика
8-SOIC
Russian Federation
