STS4DNFS30
Obsolete - MOSFET N-CH 30V 4.5A 8SO
Описание:
MOSFET N-CH 30V 4.5A 8SO
STS4DNFS30 Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Сток к источнику напряжения (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25℃
4.5A (Tc)
Напряжение привода (Макс Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
55mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250μA
Плата за ворота (Qg) (Макс) @ Vgs
4.7 nC @ 5 V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds
330 pF @ 25 V
Особенность FET
Schottky Diode (Isolated)
Рассеиваемая мощность (Макс)
2W (Tc)
Рабочая температура
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Корпус устройств поставщика
8-SOIC
Корпус
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Russian Federation
