8ETH06S
Obsolete - DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Описание:
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
8ETH06S Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Напряжение - реверс постоянного тока (Vr) (Макс)
600 V
Ток - средний ректификованный (Io)
8A
Напряжение - прямое (Vf) (Макс) @ If
2.4 V @ 8 A
Скорость
Fast Recovery = 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr)
25 ns
Ток - обратная утечка @ Vr
50 μA @ 600 V
Тип монтажа
Surface Mount
Корпус
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус устройств поставщика
TO-263AB (D2PAK)
Рабочая температура - переход
-65 ℃ ~ 175 ℃
8ETH06S Инвентарь: 42500
5.0 / 5.0
2023-03-23 10:09
Товар получен, проверить пока не представляется возможным, друг попросил получить посылку, так как Сам все еще находится в командировке... Я отпишусь немного позже
2023-03-22 08:53
Очень доволен товаром, спасибо большое продавцу.
2023-03-25 01:08
Элемент, как описано. Измерено тестером транзистора, сопротивление открытого канала 1,2 Ом. Доставка не долгая. Советую товар и продавцу.
2023-03-24 07:06
Через две с половиной недели с момента заказа трек был отслежен частично. Упакованы в почтовые и целлофановые мешки. Описание и количество соответствует. Я подключил 1 транзистор к тестеру для тестового распознавания, работающего.
2023-03-20 06:05
Все нормально!
Russian Federation
