IRF640PBF
Active - MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Описание:
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
IRF640PBF Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Сток к источнику напряжения (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25℃
18A (Tc)
Напряжение привода (Макс Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250μA
Плата за ворота (Qg) (Макс) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (Макс)
125W (Tc)
Рабочая температура
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Корпус устройств поставщика
TO-220AB
IRF640PBF Инвентарь: 14200
5.0 / 5.0
2023-03-30 13:54
Доставляется быстро и точно так, как описано.
работа
2023-04-04 20:23
Все целиком и как описано. Транзисторы пришли через месяц.
2023-04-05 01:17
Все в порядке! Продавец рекомендую!
2023-04-05 01:23
Я получил посылку, спасибо большое!!!! Это хорошо!!!! Хорошая торговля!!!!
2023-04-04 11:11
Все ОК
Отправлено быстро
Продавец отличный!
Russian Federation
