IRFD224
Active - MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP
Описание:
MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP
IRFD224 Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Сток к источнику напряжения (Vdss)
250 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25℃
630mA (Ta)
Напряжение привода (Макс Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 380mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250μA
Плата за ворота (Qg) (Макс) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds
260 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (Макс)
1W (Ta)
Рабочая температура
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Корпус устройств поставщика
4-HVMDIP
Корпус
4-DIP (0.300", 7.62mm)
IRFD224 Инвентарь: 40400
5.0 / 5.0
2023-05-19 02:18
Все отлично, все микроработники. Вставлено в доску все работает! Довольный!
2023-05-17 06:16
Не знаю об их оригинальности, но все 6 шт из 6 были в порядке.
SR = 9 В/мк,
F1 = 3,4 МГц,
Idc = 8,7 мА.
Смещение как NE5532 TI.
Шум не тестировался.
2023-05-19 02:18
Все нормы. Работает по назначению.
2023-05-18 07:20
Приехали быстро, все работает.
2023-05-18 07:07
Проверенная работа, продавца рекомендую.
Russian Federation
