C4D08120E
Active - DIODE SIL CARB 1.2KV 24.5A TO252
Описание:
DIODE SIL CARB 1.2KV 24.5A TO252
C4D08120E Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Тип диода
Silicon Carbide Schottky
Напряжение - реверс постоянного тока (Vr) (Макс)
1200 V
Ток - средний ректификованный (Io)
24.5A
Напряжение - прямое (Vf) (Макс) @ If
3 V @ 2 A
Скорость
No Recovery Time >500mA (Io)
Обратное время восстановления (trr)
0 ns
Ток - обратная утечка @ Vr
250 μA @ 1200 V
Емкость @ Vr, F
560pF @ 0V, 1MHz
Тип монтажа
Surface Mount
Корпус
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус устройств поставщика
TO-252-2
Рабочая температура - переход
-55 ℃ ~ 175 ℃
C4D08120E Инвентарь: 32450
5.0 / 5.0
2023-03-22 01:08
Быстрая доставка. Как описано. Рекомендую товар и продавца. Продавец Спасибо
2023-03-25 01:04
Заказ был отправлен быстро, упакован в пакет и пластиковую коробку, ноги не морщинистые
2023-03-25 06:05
Спасибо продавцу всех супер и коробок класса
2023-03-22 01:17
Я получил контроллеры, но еще не проверил, выглядит нормально
2023-03-25 02:04
Продукт соответствует заявленным характеристикам. Качество хорошее. Доставка в срок. Без проверки.
Russian Federation
