C6D10065Q-TR
Active - DIODE SIL CARBIDE 650V 39A 4QFN
Описание:
DIODE SIL CARBIDE 650V 39A 4QFN
C6D10065Q-TR Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Тип диода
Silicon Carbide Schottky
Напряжение - реверс постоянного тока (Vr) (Макс)
650 V
Ток - средний ректификованный (Io)
39A
Напряжение - прямое (Vf) (Макс) @ If
1.5 V @ 10 A
Скорость
No Recovery Time >500mA (Io)
Обратное время восстановления (trr)
-
Ток - обратная утечка @ Vr
50 μA @ 650 V
Емкость @ Vr, F
611pF @ 0V, 1MHz
Тип монтажа
Surface Mount
Корпус устройств поставщика
4-QFN (8x8)
Рабочая температура - переход
-55 ℃ ~ 175 ℃
C6D10065Q-TR Инвентарь: 28900
5.0 / 5.0
2021-06-22 09:20
Внешне все в порядке. Я этого не сделал. Упаковка продавца плохая...
2021-12-23 08:34
Все-таки транзистор робкий. Декрет ризного припаян – все хорошо. Прием Nabir выдающийся.
2021-07-13 05:08
Заказ 22.06.22 получен 13.07.22
2021-08-30 09:52
По внешнему виду они выглядят как оригинальные, ножки целые, не приготовленные, передняя часть похожа на заводскую.. Посмотрим, чисто внешне транзисторы очень достойны.
2021-11-16 08:04
Доставка быстрая, пока не поставлена в схему.
Russian Federation
