CAB006A12GM3
Active - 1200V 2B HALF-BRIDGE,ALN
Описание:
1200V 2B HALF-BRIDGE,ALN
CAB006A12GM3 Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Тип FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Особенность FET
Silicon Carbide (SiC)
Напряжение стока до источника (VDSS)
1200V (1.2kV)
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25℃
200A (Tj)
Rds On (макс.) @ Id, Vgs
6.9mOhm @ 200A, 15V
Vgs(th) (макс.) @ Id
3.6V @ 69mA
Заряд ворот (Qg) (макс.) @ Vgs
708nC @ 15V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
20400pF @ 800V
Мощность - макс.
10mW (Tc)
Рабочая температура
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Тип монтажа
Chassis Mount
Корпус устройств поставщика
-
CAB006A12GM3 Инвентарь: 46300
5.0 / 5.0
2021-11-03 14:45
С виду, качество хорошее, я проверю позже!
2021-08-19 21:51
Получил спасибо
2021-08-13 05:47
Привет дорогие товары получили спасибо очень много диоды массивные я думаю 60A тяга упакована очень хорошо
2021-12-06 09:43
Всё в порядке. Продавец Спасибо
2021-04-24 11:41
Мёд! В Москве меньше месяца
Russian Federation
