WAB300M12BM3
Active - 1200 V, 300 A HALF-BRIDGE MODULE
Описание:
1200 V, 300 A HALF-BRIDGE MODULE
WAB300M12BM3 Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Тип FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Особенность FET
Silicon Carbide (SiC)
Напряжение стока до источника (VDSS)
1200V (1.2kV)
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25℃
382A (Tc)
Rds On (макс.) @ Id, Vgs
5.2mOhm @ 300A, 15V
Vgs(th) (макс.) @ Id
3.6V @ 92mA
Заряд ворот (Qg) (макс.) @ Vgs
908nC @ 15V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
24500pF @ 1000V
Рабочая температура
-40 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Тип монтажа
Chassis Mount
Корпус устройств поставщика
Module
WAB300M12BM3 Инвентарь: 47400
5.0 / 5.0
2021-07-18 04:01
Все ОК. Хорошие товары. Хороший продавец.
2021-06-21 11:38
Мы приехали через 20 дней.
2021-11-03 14:45
С виду, качество хорошее, я проверю позже!
2021-08-19 21:51
Получил спасибо
2021-08-13 05:47
Привет дорогие товары получили спасибо очень много диоды массивные я думаю 60A тяга упакована очень хорошо
Russian Federation
