WAS530M12BM3
Active - SIC, MODULE, 530A, 1200V, 62MM,
Описание:
SIC, MODULE, 530A, 1200V, 62MM,
WAS530M12BM3 Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Тип FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Особенность FET
Silicon Carbide (SiC)
Напряжение стока до источника (VDSS)
1200V (1.2kV)
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25℃
630A (Tc)
Rds On (макс.) @ Id, Vgs
3.47mOhm @ 530A, 15V
Vgs(th) (макс.) @ Id
3.6V @ 127mA
Заряд ворот (Qg) (макс.) @ Vgs
1362nC @ 15V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
38900pF @ 800V
Рабочая температура
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Тип монтажа
Chassis Mount
Корпус устройств поставщика
-
WAS530M12BM3 Инвентарь: 41800
5.0 / 5.0
2021-08-13 05:47
Привет дорогие товары получили спасибо очень много диоды массивные я думаю 60A тяга упакована очень хорошо
2021-12-06 09:43
Всё в порядке. Продавец Спасибо
2021-04-24 11:41
Мёд! В Москве меньше месяца
2021-12-02 03:02
Это как описание.
2021-06-22 09:20
Внешне все в порядке. Я этого не сделал. Упаковка продавца плохая...
Russian Federation
