EPC2105
Active - GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Описание:
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
EPC2105 Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Тип FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Особенность FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение стока до источника (VDSS)
80V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25℃
9.5A, 38A
Rds On (макс.) @ Id, Vgs
14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (макс.) @ Id
2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
Заряд ворот (Qg) (макс.) @ Vgs
2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
Рабочая температура
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Корпус устройств поставщика
Die
EPC2105 Инвентарь: 24800
5.0 / 5.0
2021-07-07 06:03
Он пришел как часть общей посылки в течение 2 недель. По внешнему виду отличный продукт, в работе не проверял.
2021-04-13 20:34
Транзисторные рабочие, даже с лазерной гравировкой. При максимальной нагрузке не проверял. Я использую их в течение длительного времени, и с ними не было никаких проблем.
2021-06-13 05:36
Пришедший примерно через месяц тестер показывает, что работа под нагрузкой тестируется.
2021-04-11 01:43
Спасибо! Груз прибыл быстро. Продукт хорошего качества. Рекомендовать!
2021-06-22 09:50
29.05 заказано, 22.06 получено на почте в Москве. Все соответствует описанию, продавец и я его рекомендую. Попробуем.
Russian Federation
