EPC2111
Active - GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Описание:
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
EPC2111 Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Тип FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Особенность FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение стока до источника (VDSS)
30V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25℃
16A (Ta)
Rds On (макс.) @ Id, Vgs
19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (макс.) @ Id
2.5V @ 5mA
Заряд ворот (Qg) (макс.) @ Vgs
2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
230pF @ 15V, 590pF @ 15V
Рабочая температура
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Корпус устройств поставщика
Die
EPC2111 Инвентарь: 13600
5.0 / 5.0
2021-07-26 06:13
Товар был доставлен очень быстро, проверю параметр позже, рекомендую продавцу!!
2021-07-29 05:53
От заказа до получения ровно месяц. Трасса отслеживалась на всем пути. Упаковано хорошо. Описание продукта соответствует. Я рекомендую как продукт, так и продавца.
2021-07-20 11:08
Спасибо, пакет отличный, пока не проверял по факту.
2021-04-17 09:42
Я часто покупаю у него. Качество. Очень хороший продавец.
В сварку аналогов я часто ставлю, возвратов нет.
2022-09-02 03:22
2022.07.24-заказ.
2022.09.02-снято в почтовом отделении в Омске.
Упакован отлично, выглядит как оригинал.
Russian Federation
