Категории
Новые поступления
Контроль качества
Отзывов
Главная страница
/
Интегральные схемы (ИС)
/
Память
/ Samsung Semiconductor K4EBE304EB-EGCG
K4EBE304EB-EGCG
EOL - IC DRAM LPDDR3 32 Gb 2133 Mbps
Изготовитель:
Samsung Semiconductor
Часть Mfr #
K4EBE304EB-EGCG
Категория:
Память
даташит:
K4EBE304EB-EGCG
Описание:
IC DRAM LPDDR3 32 Gb 2133 Mbps
K4EBE304EB-EGCG Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Категория
Память
Изготовитель
Samsung Semiconductor
Серия
-
Упаковка
Tray
Статус продукта
EOL
Тип монтажа
Volatile
Формат памяти
DRAM
Технологии
LPDDR3
Объем памяти
32 Gb
Организация памяти
x32
Интерфейс памяти
Parallel
Тактовая частота
-
Время цикла записи — слово, страница
-
Время доступа
-
Напряжение - Питание
1.8 / 1.2 / 1.2 V
Рабочая температура
-25 ~ 85 ℃
Тип монтажа
Surface Mount
Корпус
178 FBGA
Корпус устройств поставщика
178 FBGA
K4EBE304EB-EGCG Инвентарь: 6100
История Цена
0
5.0 / 5.0
Зарина Абдуллаева
Uzbekistan
2021-08-19 21:51
Получил спасибо
Anonymous
Russian Federation
2021-08-13 05:47
Привет дорогие товары получили спасибо очень много диоды массивные я думаю 60A тяга упакована очень хорошо
Anonymous
Russian Federation
2021-12-06 09:43
Всё в порядке. Продавец Спасибо
Anonymous
Russian Federation
2021-04-24 11:41
Мёд! В Москве меньше месяца
Anonymous
Russian Federation
2021-12-02 03:02
Это как описание.
K4EBE304EB-EGCG Связанные детали
K4E8E324EB-EGCG
Samsung Semiconductor
K4E6E304EC-EGCG
Samsung Semiconductor
K4EBE304EC-EGCG
Samsung Semiconductor
K4E6E304ED-EGCG
Samsung Semiconductor
K4E6E304EB-EGCG
Samsung Semiconductor
K4EBE304EB-EGCG
Samsung Semiconductor
K4E8E324ED-EGCG
Samsung Semiconductor
K4EBE304ED-EGCG
Samsung Semiconductor
Отправить запрос
Номер детали *
Изготовитель
Контакт *
E-Mail *
Количество *
Страна доставки *