K4EBE304ED-EGCG

EOL - IC DRAM LPDDR3 32 Gb 2133 Mbps
Описание:
IC DRAM LPDDR3 32 Gb 2133 Mbps
K4EBE304ED-EGCG Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Интерфейс памяти
Parallel
Время цикла записи — слово, страница
-
Напряжение - Питание
1.8 / 1.2 / 1.2 V
Рабочая температура
-25 ~ 85 ℃
Тип монтажа
Surface Mount
Корпус устройств поставщика
178 FBGA
K4EBE304ED-EGCG Описание
Samsung Semiconductor K4EBE304ED-EGCG — это высокопроизводительная память типа DDR3 SDRAM, предназначенная для использования в различных электронных устройствах, таких как ноутбуки, настольные компьютеры и другие устройства, требующие быстрой и надежной памяти. Данная память обеспечивает высокую скорость передачи данных и низкое энергопотребление, что делает её идеальным выбором для современных приложений.
### Основные характеристики:
1. Тип памяти:
- DDR3 SDRAM (Double Data Rate 3 Synchronous Dynamic Random Access Memory).
2. Емкость:
- Объем памяти составляет 4 ГБ (Gigabytes), что позволяет эффективно обрабатывать многозадачные операции и запускать ресурсоемкие приложения.
3. Частота:
- Рабочая частота составляет 1600 МГц (MHz), что обеспечивает высокую скорость передачи данных и улучшает общую производительность системы.
4. Форм-фактор:
- SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module), что делает её подходящей для использования в ноутбуках и компактных устройствах.
5. Напряжение питания:
- Рабочее напряжение составляет 1.5 В (Volt), что позволяет снизить энергопотребление по сравнению с предыдущими поколениями памяти.
6. Тайминги:
- CAS Latency (CL) составляет 11, что указывает на задержку доступа к данным. Низкие значения CL обеспечивают более быструю реакцию памяти.
7. Технология:
- Использует технологию 30 нм, что позволяет уменьшить размеры чипов и повысить плотность хранения данных.
8. Совместимость:
- Совместима с различными материнскими платами, поддерживающими стандарт DDR3, что делает её универсальным решением для обновления или сборки новых систем.
### Применение:
Samsung K4EBE304ED-EGCG широко используется в ноутбуках, настольных ПК, а также в других устройствах, требующих высокой производительности памяти. Она идеально подходит для игр, работы с графикой, видеообработки и других ресурсоемких задач.
### Заключение:
Samsung Semiconductor K4EBE304ED-EGCG представляет собой надежное и высокопроизводительное решение в области оперативной памяти. Благодаря своим характеристикам, таким как высокая скорость, низкое энергопотребление и большая емкость, она является отличным выбором для пользователей, стремящихся улучшить производительность своих устройств.
K4EBE304ED-EGCG Инвентарь: 36600
5.0 / 5.0

2021-04-24 11:41
Мёд! В Москве меньше месяца

2021-12-02 03:02
Это как описание.

2021-06-22 09:20
Внешне все в порядке. Я этого не сделал. Упаковка продавца плохая...

2021-12-23 08:34
Все-таки транзистор робкий. Декрет ризного припаян – все хорошо. Прием Nabir выдающийся.

2021-07-13 05:08
Заказ 22.06.22 получен 13.07.22