Категории
Новые поступления
Контроль качества
Отзывов
Главная страница  /  Интегральные схемы (ИС)  /  Память  /  Samsung Semiconductor K4EBE304ED-EGCG

K4EBE304ED-EGCG

Active Icon EOL - IC DRAM LPDDR3 32 Gb 2133 Mbps
K4EBE304ED-EGCG
K4EBE304ED-EGCG
Samsung Semiconductor
Изготовитель:
Часть Mfr #
Категория:
даташит:
Описание:
IC DRAM LPDDR3 32 Gb 2133 Mbps
 
3D Model Icon

K4EBE304ED-EGCG Спецификация

Характеристика продукта
Значение атрибута
Категория
Изготовитель
Серия
-
Упаковка
Tray
Статус продукта
EOL
Тип монтажа
Volatile
Формат памяти
DRAM
Технологии
LPDDR3
Объем памяти
32 Gb
Организация памяти
x32
Интерфейс памяти
Parallel
Тактовая частота
-
Время цикла записи — слово, страница
-
Время доступа
-
Напряжение - Питание
1.8 / 1.2 / 1.2 V
Рабочая температура
-25 ~ 85 ℃
Тип монтажа
Surface Mount
Корпус
178 FBGA
Корпус устройств поставщика
178 FBGA

K4EBE304ED-EGCG Описание

Samsung Semiconductor K4EBE304ED-EGCG — это высокопроизводительная память типа DDR3 SDRAM, предназначенная для использования в различных электронных устройствах, таких как ноутбуки, настольные компьютеры и другие устройства, требующие быстрой и надежной памяти. Данная память обеспечивает высокую скорость передачи данных и низкое энергопотребление, что делает её идеальным выбором для современных приложений.

### Основные характеристики:

1. Тип памяти:
- DDR3 SDRAM (Double Data Rate 3 Synchronous Dynamic Random Access Memory).

2. Емкость:
- Объем памяти составляет 4 ГБ (Gigabytes), что позволяет эффективно обрабатывать многозадачные операции и запускать ресурсоемкие приложения.

3. Частота:
- Рабочая частота составляет 1600 МГц (MHz), что обеспечивает высокую скорость передачи данных и улучшает общую производительность системы.

4. Форм-фактор:
- SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module), что делает её подходящей для использования в ноутбуках и компактных устройствах.

5. Напряжение питания:
- Рабочее напряжение составляет 1.5 В (Volt), что позволяет снизить энергопотребление по сравнению с предыдущими поколениями памяти.

6. Тайминги:
- CAS Latency (CL) составляет 11, что указывает на задержку доступа к данным. Низкие значения CL обеспечивают более быструю реакцию памяти.

7. Технология:
- Использует технологию 30 нм, что позволяет уменьшить размеры чипов и повысить плотность хранения данных.

8. Совместимость:
- Совместима с различными материнскими платами, поддерживающими стандарт DDR3, что делает её универсальным решением для обновления или сборки новых систем.

### Применение:

Samsung K4EBE304ED-EGCG широко используется в ноутбуках, настольных ПК, а также в других устройствах, требующих высокой производительности памяти. Она идеально подходит для игр, работы с графикой, видеообработки и других ресурсоемких задач.

### Заключение:

Samsung Semiconductor K4EBE304ED-EGCG представляет собой надежное и высокопроизводительное решение в области оперативной памяти. Благодаря своим характеристикам, таким как высокая скорость, низкое энергопотребление и большая емкость, она является отличным выбором для пользователей, стремящихся улучшить производительность своих устройств.

K4EBE304ED-EGCG Инвентарь: 36600

История Цена
0
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Anonymous
Location Icon Russian Federation
5 stars
2021-04-24 11:41
Мёд! В Москве меньше месяца
Author Icon
Anonymous
Location Icon Russian Federation
5 stars
2021-12-02 03:02
Это как описание.
Author Icon
Anonymous
Location Icon Russian Federation
5 stars
2021-06-22 09:20
Внешне все в порядке. Я этого не сделал. Упаковка продавца плохая...
Author Icon
Ігор Ігорович
Location Icon Ukraine
5 stars
2021-12-23 08:34
Все-таки транзистор робкий. Декрет ризного припаян – все хорошо. Прием Nabir выдающийся.
Author Icon
Anonymous
Location Icon Russian Federation
5 stars
2021-07-13 05:08
Заказ 22.06.22 получен 13.07.22

K4EBE304ED-EGCG Связанные детали

K4E8E324EB-EGCG
K4E6E304EC-EGCG
K4EBE304EC-EGCG
K4E6E304ED-EGCG
K4E6E304EB-EGCG
K4EBE304EB-EGCG
K4E8E324ED-EGCG
K4EBE304ED-EGCG
Отправить запрос
Номер детали *
Изготовитель
Контакт *
E-Mail *
Количество *
Страна доставки *