Новые поступления

Контроль качества

Отзывов

K4F4E3S4HF-GFCJ

Active - IC DRAM LPDDR4 4 Gb 3733 Mbps

Изготовитель:

Samsung Semiconductor

Часть Mfr #

K4F4E3S4HF-GFCJ

Категория:

Память

даташит:

K4F4E3S4HF-GFCJ

Описание:

IC DRAM LPDDR4 4 Gb 3733 Mbps

K4F4E3S4HF-GFCJ Спецификация

Характеристика продукта

Значение атрибута

Категория

Память

Изготовитель

Samsung Semiconductor

Серия

-

Упаковка

Tray

Статус продукта

Active

Тип монтажа

Volatile

Формат памяти

DRAM

Технологии

LPDDR4

Объем памяти

4 Gb

Организация памяти

x32

Интерфейс памяти

Parallel

Тактовая частота

-

Время цикла записи — слово, страница

-

Время доступа

-

Напряжение - Питание

1.8 / 1.1 / 1.1 V

Рабочая температура

-40 ~ 95 ℃

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

200 FBGA

Корпус устройств поставщика

200 FBGA

K4F4E3S4HF-GFCJ Инвентарь: 28500

История Цена

0

5.0 / 5.0

Anonymous

Russian Federation

2021-12-02 03:02

Это как описание.

Anonymous

Russian Federation

2021-06-22 09:20

Внешне все в порядке. Я этого не сделал. Упаковка продавца плохая...

Ігор Ігорович

Ukraine

2021-12-23 08:34

Все-таки транзистор робкий. Декрет ризного припаян – все хорошо. Прием Nabir выдающийся.

Anonymous

Russian Federation

2021-07-13 05:08

Заказ 22.06.22 получен 13.07.22

Anonymous

Russian Federation

2021-08-30 09:52

По внешнему виду они выглядят как оригинальные, ножки целые, не приготовленные, передняя часть похожа на заводскую.. Посмотрим, чисто внешне транзисторы очень достойны.

K4F4E3S4HF-GFCJ

K4F4E3S4HF-GFCJ Спецификация

K4F4E3S4HF-GFCJ Инвентарь: 28500

K4F4E3S4HF-GFCJ Связанные детали