Категории
Новые поступления
Контроль качества
Отзывов
Главная страница
/
Интегральные схемы (ИС)
/
Память
/ Samsung Semiconductor K4FBE3D4HM-THCL
K4FBE3D4HM-THCL
Active - IC DRAM LPDDR4 32 Gb 4266 Mbps
Изготовитель:
Samsung Semiconductor
Часть Mfr #
K4FBE3D4HM-THCL
Категория:
Память
даташит:
K4FBE3D4HM-THCL
Описание:
IC DRAM LPDDR4 32 Gb 4266 Mbps
K4FBE3D4HM-THCL Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Категория
Память
Изготовитель
Samsung Semiconductor
Серия
-
Упаковка
Tray
Статус продукта
Active
Тип монтажа
Volatile
Формат памяти
DRAM
Технологии
LPDDR4
Объем памяти
32 Gb
Организация памяти
x32
Интерфейс памяти
Parallel
Тактовая частота
-
Время цикла записи — слово, страница
-
Время доступа
-
Напряжение - Питание
1.8 / 1.1 / 1.1 V
Рабочая температура
-40 ~ 105 ℃
Тип монтажа
Surface Mount
Корпус
200 FBGA
Корпус устройств поставщика
200 FBGA
K4FBE3D4HM-THCL Инвентарь: 17250
История Цена
0
5.0 / 5.0
Anonymous
Russian Federation
2021-04-24 11:41
Мёд! В Москве меньше месяца
Anonymous
Russian Federation
2021-12-02 03:02
Это как описание.
Anonymous
Russian Federation
2021-06-22 09:20
Внешне все в порядке. Я этого не сделал. Упаковка продавца плохая...
Ігор Ігорович
Ukraine
2021-12-23 08:34
Все-таки транзистор робкий. Декрет ризного припаян – все хорошо. Прием Nabir выдающийся.
Anonymous
Russian Federation
2021-07-13 05:08
Заказ 22.06.22 получен 13.07.22
K4FBE3D4HM-THCL Связанные детали
K4F6E3S4HB-KHCL
Samsung Semiconductor
K4F6E3S4HB-KFCL
Samsung Semiconductor
K4F8E304HB-MGCJ
Samsung Semiconductor
K4F8E304HB-MGCJ
Samsung Semiconductor
K4FBE3D4HM-TFCL
Samsung Semiconductor
K4F6E3S4HM-MGCJ
Samsung Semiconductor
K4F6E3S4HM-MGCJ
Samsung Semiconductor
K4F8E3S4HD-GHCL
Samsung Semiconductor
K4F8E3S4HD-GUCL
Samsung Semiconductor
K4F6E3S4HM-THCL
Samsung Semiconductor
K4F4E3S4HF-GHCJ
Samsung Semiconductor
K4F2E3S4HA-TFCL
Samsung Semiconductor
Отправить запрос
Номер детали *
Изготовитель
Контакт *
E-Mail *
Количество *
Страна доставки *