Новые поступления

Контроль качества

Отзывов

K4RAH086VB-BIWM

Active - IC DRAM DDR5 16 Gb 5600 Mbps

Изготовитель:

Samsung Semiconductor

Часть Mfr #

K4RAH086VB-BIWM

Категория:

Память

даташит:

K4RAH086VB-BIWM

Описание:

IC DRAM DDR5 16 Gb 5600 Mbps

K4RAH086VB-BIWM Спецификация

Характеристика продукта

Значение атрибута

Категория

Память

Изготовитель

Samsung Semiconductor

Серия

-

Упаковка

Tray

Статус продукта

Active

Тип монтажа

Volatile

Формат памяти

DRAM

Технологии

DDR5

Объем памяти

16 Gb

Организация памяти

2G x 8

Интерфейс памяти

Parallel

Тактовая частота

-

Время цикла записи — слово, страница

-

Время доступа

-

Напряжение - Питание

1.1 V

Рабочая температура

-40 ~ 95 ℃

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

82 FBGA

Корпус устройств поставщика

82 FBGA

K4RAH086VB-BIWM Инвентарь: 28000

История Цена

0

5.0 / 5.0

Anonymous

Russian Federation

2021-12-29 05:53

Всё в порядке. Я проверю производительность позже. Упаковка отличная.

Anonymous

Russian Federation

2021-04-01 01:31

Были заказаны чипы Stm32f103rct6. Поставляемые чипы gd32f103rct6

Anonymous

Russian Federation

2021-06-23 09:53

Фишки настоящие.

Anonymous

Russian Federation

2021-06-07 02:00

Мой заказ был stm32 F103 (Cortex-M3)
Я получил stm32 F030 (Cortex-M0)

Anonymous

Russian Federation

2021-07-08 00:17

Доставка 3 недели (MSC). Они выглядят как настоящие, что уже неплохо.

K4RAH086VB-BIWM

K4RAH086VB-BIWM Спецификация

K4RAH086VB-BIWM Инвентарь: 28000

K4RAH086VB-BIWM Связанные детали