K4RCH046VM-2CCM

Samsung Semiconductor K4RCH046VM-2CCM — это высококачественный DRAM (динамическая оперативная память) модуль, который используется в различных электронных устройствах, включая компьютеры, ноутбуки и другие устройства, требующие быстрой и надежной памяти. Ниже приведены подробные характеристики и спецификации этого компонента.

### Основные характеристики K4RCH046VM-2CCM:

1. Тип памяти: DDR3 SDRAM (Double Data Rate 3 Synchronous Dynamic Random Access Memory)
2. Форм-фактор: SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module)
3. Емкость: 512 Мбит (64 МБ)
4. Частота: 1066 МГц (PC3-8500)
5. Шина данных: 8 бит
6. Напряжение питания: 1.5 В
7. Организация ячеек: 4M x 4
8. Тайминги:
- CAS Latency (CL): 7
- RAS to CAS Delay (tRCD): 7
- Row Precharge Time (tRP): 7
- Active to Precharge Delay (tRAS): 20
9. Температурный диапазон:
- Рабочая температура: от 0°C до +85°C
- Хранение: от -40°C до +125°C
10. Упаковка: 54-ball FBGA (Fine Ball Grid Array)

### Применения:

K4RCH046VM-2CCM используется в различных устройствах, включая:
- Ноутбуки и ультрабуки
- Настольные компьютеры
- Серверы
- Встраиваемые системы
- Игровые консоли

### Преимущества:

- Высокая производительность: DDR3 обеспечивает более высокую скорость передачи данных по сравнению с предыдущими поколениями памяти.
- Энергоэффективность: Низкое напряжение питания (1.5 В) позволяет снизить потребление энергии, что особенно важно для мобильных устройств.
- Надежность: Samsung известен своим качеством и надежностью, что делает эту память отличным выбором для критически важных приложений.

### Заключение:

Samsung K4RCH046VM-2CCM — это надежный и высокопроизводительный модуль памяти DDR3, который подходит для широкого спектра приложений. Его характеристики делают его идеальным выбором для разработчиков и производителей, стремящихся обеспечить высокую производительность и надежность своих устройств.