Категории
Новые поступления
Контроль качества
Отзывов
Главная страница  /  Дискретные полупроводники  /  Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF  /  STMicroelectronics PD20010-E

PD20010-E

Active Icon Obsolete - TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
PD20010-E
PD20010-E
STMicroelectronics
Изготовитель:
Часть Mfr #
даташит:
Описание:
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
 
3D Model Icon

PD20010-E Спецификация

Характеристика продукта
Значение атрибута
Изготовитель
Серия
-
Упаковка
Tube
Статус продукта
Obsolete
Тип транзистора
LDMOS
Частота
2GHz
Прибыль
11dB
Напряжение - Тест
13.6 V
Текущий рейтинг (Amps)
5A
Коэффициент шума
-
Ток - Тест
150 mA
Мощность - Выход
10W
Напряжение - номинальное
40 V
Тип монтажа
-
Корпус
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Корпус устройств поставщика
PowerSO-10RF (Formed Lead)

PD20010-E Инвентарь: 5650

История Цена
Obsolete
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Anonymous
Location Icon Russian Federation
5 stars
2023-03-19 01:06
Доставка быстрая, ОК
Author Icon
Anonymous
Location Icon Russian Federation
5 stars
2023-03-19 10:06
Оптопара как оптопара))
Author Icon
Daniela Nistor
Location Icon Moldova
5 stars
2023-03-17 02:06
Procesorul T8300 corespunde descrierii. Установка L-am
Author Icon
Anonymous
Location Icon Russian Federation
5 stars
2023-03-17 15:04
Доставка быстрая. Я не проверял работу. Выглядит отлично. Спасибо. Два заказа в одном.
Author Icon
Anonymous
Location Icon Russian Federation
5 stars
2023-03-18 01:04
Получили быстро, спасибо.

PD20010-E Связанные детали

PD20010-E
PD20010S-E
PD20010STR-E
PD20010TR-E
PD20015-E
PD20015S-E
Отправить запрос
Номер детали *
Изготовитель
Контакт *
E-Mail *
Количество *
Страна доставки *