Категории
Новые поступления
Контроль качества
Отзывов
Главная страница  /  Дискретные полупроводники  /  Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF  /  STMicroelectronics PD20015S-E

PD20015S-E

Active Icon Obsolete - TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
PD20015S-E
PD20015S-E
STMicroelectronics
Изготовитель:
Часть Mfr #
даташит:
Описание:
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
 
3D Model Icon

PD20015S-E Спецификация

Характеристика продукта
Значение атрибута
Изготовитель
Серия
-
Упаковка
Tube
Статус продукта
Obsolete
Тип транзистора
LDMOS
Частота
2GHz
Прибыль
11dB
Напряжение - Тест
13.6 V
Текущий рейтинг (Amps)
7A
Коэффициент шума
-
Ток - Тест
350 mA
Мощность - Выход
15W
Напряжение - номинальное
40 V
Тип монтажа
-
Корпус
PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Корпус устройств поставщика
PowerSO-10RF (Straight Lead)

PD20015S-E Инвентарь: 23400

История Цена
Obsolete
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Anonymous
Location Icon Russian Federation
5 stars
2022-11-08 20:28
За стиральные машины, не дорогие очень довольные спасибо большое продавцу!!!
Author Icon
Anonymous
Location Icon Russian Federation
5 stars
2023-03-19 01:04
Полученный. Взято для будущего использования. Еще не проверили.
Author Icon
Anonymous
Location Icon Russian Federation
5 stars
2023-03-19 01:06
Спасибо! Заказал друг.
Author Icon
Anonymous
Location Icon Russian Federation
5 stars
2022-10-02 00:24
Качество отличное
Author Icon
Anonymous
Location Icon Russian Federation
5 stars
2023-03-19 00:07
Чип приобретен для знаменитого тестера LCR-T4. Оказалось, что он был сшит только хазамой. Все работает.

PD20015S-E Связанные детали

PD20010-E
PD20010S-E
PD20010STR-E
PD20010TR-E
PD20015-E
PD20015S-E
Отправить запрос
Номер детали *
Изготовитель
Контакт *
E-Mail *
Количество *
Страна доставки *