EPC2108
Active - GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
Описание:
GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
EPC2108 Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Тип FET
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Особенность FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение стока до источника (VDSS)
60V, 100V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25℃
1.7A, 500mA
Rds On (макс.) @ Id, Vgs
190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs(th) (макс.) @ Id
2.5V @ 100μA, 2.5V @ 20μA
Заряд ворот (Qg) (макс.) @ Vgs
0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Рабочая температура
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Корпус устройств поставщика
9-BGA (1.35x1.35)
EPC2108 Инвентарь: 14150
5.0 / 5.0
2023-03-24 01:12
Хорошо работают транзисторы, отремонтирован блок питания компьютера. Рекомендовать!
2023-03-23 10:13
Все хорошо
2023-03-26 01:15
Доставка очень быстрая, в упаковке. Упаковано хорошо. Каждый тип в отдельной сумке. Порядок совпадает. Доволен заказом. Магазин и продавец рекомендуют.
2023-03-23 05:57
Я очень доволен, что продавец хорошо порекомендовал
2023-03-24 01:07
Транзисторы хорошего качества. Продавец Спасибо. Рекомендую.
Russian Federation
